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新发明的芯片中氮化硅微环谐振器的表面局部覆盖有GST相变材料薄膜

时间:2021-12-26 15:41   来源:IT之家   作者:笑笑   阅读量:6965   

,根据俄罗斯卫星通讯社报道,《科学俄罗斯》电子期刊发文称,莫斯科电子技术学院和莫斯科国立师范大学的专家,与其他俄罗斯专家,共同发明一种用于开发新一代光子电路的芯片。

新发明的芯片中氮化硅微环谐振器的表面局部覆盖有GST相变材料薄膜

专家表示,这项发明可以制造非易失性可调纳米光子芯片,该技术已经能够用于微电子生产,无需额外升级。“越来越多的公司希望定制芯片来满足他们应用的特定要求,而不是使用与竞争对手相同的通用芯片。”埃森哲全球半导体主管SyedAlam告诉CNBC。。

莫斯科电子技术学院未来材料与技术研究所高级研究员彼得拉扎连科表示:在新发明的芯片中,氮化硅微环谐振器的表面局部覆盖有 GST 相变材料薄膜GST 涂层的相态变化,吸收会导致通过波导的光学信号发生变化相态转换可由通过波导的激光脉冲触发

据本站了解,这种芯片薄膜的相态转换在 10 毫微秒内发生GST 薄膜,是控制电信设备中使用的薄膜波导元件中的信号的最佳材料之一现在,专家团队在优化芯片,以增加输入的逻辑电平的数量此外,专家还在找方法设计新的光学集成电路以及基于其的整套系统

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